Russian / Francais / English
Первый русский гид по университетам Швейцарии
 

Публикации в швейцарской прессе

L'Agefi

Венчурный капитал

Nanodimension: 70 миллионов в нанотехнологии

Родилась одна из первых структур венчурного финансирования, полностью посвященная нанотехнологиям. Она является результатом сотрудничества Nanodimension Limited Partnership (LP) и команды консультантов из Цюриха, пионером в этой области.

 

Читайте также:

Родилась одна из первых структур венчурного финансирования, полностью посвященная нанотехнологиям. Она является результатом сотрудничества Nanodimension Limited Partnership (LP) и команды консультантов из Цюриха, пионером в этой области. Наделенный 70 млн. франков капитала, этот инвестиционный аппарат объединяет европейских инвесторов, а также пенсионную кассу одного крупного швейцарского банка и известный научный фонд. Очень специализированная на «техно», как объясняет Эймерик Сален (Aymeric Sallin), основатель Nanodimension, эта структура будет содействовать важнейшим приложениям в секторах полупроводники/электроника и наук о жизни, а также в точках их соприкосновения.

Цели, прежде всего - коммерческие

«Эта специализация соответствует прежде всего квалификации нашей команды, которая специально была создана, чтобы обратиться к областям нанотехнологий, самым многообещающим в коммерческом плане, — объясняет Аймерик Сален. — Наноизмерение открыло огромный сектор, в котором количество компаний не прекращает увеличиваться. Таким образом, это главный аргумент специализации».

Другое основание для этого выбора – это рыночная стратегия: «науки о жизни и полупроводники в настоящее время представляют собой полюса интересов, самые стимулирующие и самые интересные с финансовой точки зрения. И так же как их конкретная синергия. Физика частиц, объединенная с науками о жизни, дает реальные возможности, поскольку приложения имеет непосредственную сферу применения. Примером тому является бурный рост предприятий в секторе персонализированной диагностики. Благодаря нанометрическому масштабу, не только стоимость приборов и связанные с ними затраты значительно уменьшаются, но также и их чувствительность возрастает на несколько порядков. В настоящее время в стадии испытаний находится большое количество оборудования.» В июле 2006 г. Nanodimension LP реализовала свои первые инвестиции в start-up Crocus Technology, компанию из Гренобля. Область ее специализации — MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) (см. статью в Agefi от 11 июля 2006 г.)

Сильви Гардель (Sylvie Gardel)

© L'Agefi, mercredi 28 mars 2007
© uni-CH.RU, перевод с французского, 2007

Ссылки по теме:
  • NanoDimension is a venture capital firm supporting top entrepreneurial teams to build nanotech companies with the potential to become world leaders in their ...
    http://www.nanodimension.com/
  • Crocus Technology
    The MRAM technology that is the foundation on which Crocus is built was developed in the Grenoble-based SPINTEC research center and is continuously improved through formal joint development programs between the company, Spintec and other leading European laboratories
    Crocus Investors include: San Francisco-based Sofinnova Ventures (lead investor), Paris-based firms Ventech, CDC Entreprises Innovation, AGF Private Equity and Sofinnova Partners, and NanoDimension
    Crocus is headquartered in Grenoble (France) with operations in the Paris area and in Silicon Valley
    http://www.crocus-technology.com/
  • MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) is a non-volatile computer memory (NVRAM) technology, which has been in development since the 1990s. Continued increases in density of existing memory technologies, notably Flash RAM and DRAM kept MRAM in a niche role in the market, but its proponents believe that the advantages are so overwhelming that MRAM will eventually become dominant.
    http://en.wikipedia.org/wiki/MRAM
  • Что вслед за флэш?
    Сегодня многие специалисты называют MRAM технологией памяти следующего поколения, так как скоростные показатели существующих прототипов очень высоки — по данным IBM, время записи в MRAM не превышает 2,3 нс, что более чем в 1000 раз быстрее, нежели время записи в флэш-память и в 20 раз быстрее скорости обращения к FRAM. Время чтения произвольного бита не превышает 3 нс, — 20 раз меньше, чем для DRAM, а потребляемый ток составляет около 2 мА, то есть меньше тока потребления DRAM в 100 раз. Кроме того, MRAM, в отличие от SRAM, устойчива к внешним электромагнитным воздействиям.
    Николай Печерица «Экспресс-Электроника», #6/2005
    http://www1.citforum.ru/hardware/data/after_flash/


© uni-CH.RU 1999-2007 | info@uni-ch.ru | 14.04.2007

  ???????@Mail.ru   Rambler's Top100