|
Как получается, что мобильные телефоны уменьшаются в размерах и одновременно снижается их цена? Ответ надо искать на стороне Innovative Silicon, одной из компаний start-up, самых многообещающих в мире электроники. Основанная в 2003 г. Пьером Фазаном (Pierre Fazan), профессором Лаборатории общей электроники Федеральной политехнической школы Лозанны (EPFL - Ecole polytechnique federale de Lausanne), и доктором Сергеем Охониным (Serguei Okhonin), Innovative Silicon собрала свою первую группу инвесторов с объемом 6 млн. долл. США в 2004 г., продолжила в 2005 г. получением капитала в 16 млн. долл. США от американских, европейских и швейцарских венчурных капиталистов. Исключительность этой компании start-up состоит в ее способности уменьшать размер памяти, размещаемой в каждом микропроцессор. Мощная молодая компания, став американской, открыла представительство в Санта Клара (Santa Clara) в Силиконовой долине. Компания тем не менее сохраняет систему своего центр исследований и разработок (R&D) в Лозанне, в Научном парке рядом с EPFL. Другое бюро недавно было открыто в Токио. «С самого начала предприятия мы формируем интернациональную команду с международными амбициями», - подчеркивает Пьер Фазан. Амбиции, которые недавно наградил журнал IEEE Spectrum. Это издание американского Института электроинженерии и электроники (Institute of Electrical and Electronics Engineers, IEEE), «международный эталон в этой сфере», в прошлом месяце выбрало start-up из EPFL развивающейся технологией номер один в мире.
Что представляет для вас эта награда?
Пьер Фазан: Это неоспоримое признание нашей бизнес-модели. Я должен уточнить, что премия присуждена за всю совокупность категорий: полупроводники, телекоммуникации, информатика. Эта награда сделала нас очень известными для наших будущих клиентов. Впрочем, мы уже получили многочисленные запросы от предприятий, заинтересованных в нашей технологии.
В чем точно заключается ваша технология?
Большая часть микропроцессоров состоит из запоминающего устройства, называемого бортовой (интегрированной) памятью. Эта память может быть типом SRAM (static random access memory), где каждый бит информации соответствует шести транзисторам, или типом DRAM (dynamic random access memory), где каждый бит включает транзистор и конденсатор. Мы разработали систему, позволяющую реализовать память с одним единственным транзистором. Эта деталь самая дорогостоящая и самая сложная в производстве. Кроме того она ограничивает возможности миниатюризации. Следовательно без конденсатора или других транзисторов мы можем радикально уменьшить размер бортовой (интегрированной) памяти (смотрите изображение ниже). Преимущества этой технологии многочисленны: в первом ряду – это миниатюризация электронных чипов. Самая маленькая память позволяет увеличить поверхность, предназначенную для других схем микропроцессора, умножая на самом деле производительность чипа.
Наша технология также позволяет уменьшить энергопотребление, так же, как и затраты на производство, подтверждая золотое правило полупроводников: чем это меньше, тем это дешевле.
Стало быть вы не продаете продукт…
Нет, мы продаем наше ноу-хау. Фактически мы предлагаем интеллектуальную собственность, реализуя на базе нашей технологии Z-RAM архитектуру, дизайн бортовой памяти для микропроцессоров и других сложных схем. В этих условиях такие изготовители как Intel или AMD обращаются к нам, чтобы купить одну из наших лицензий, но сами занимаются производством продукта. Наконец, мы не договариваемся об эксклюзивных лицензиях с нашими партнерами. По всем этим причинам наш центр в Лозанне приобретает первостепенное значение, потому что именно здесь сосредоточены все исследования, разработки и дизайн. Наши представительства в Силиконовой долине служат в основном для установления контактов с нашими клиентами и партнерами.
Какая самая большая угроза развитию вашей деятельности?
Это мы сами. Мы развиваемся в напряжённом ритме: Innovative Silicon давал работу двум человекам в начале 2004 г., восьми - двенадцать месяцев спустя. В конце 2006 компания насчитывала 40 сотрудников, а в прошлом месяце мы приняли на работу еще четыре новых человека. Впрочем, этот рост был вызван главным образом двумя получениями капитала, которые мы реализовали в 2004 и 2005 гг. Мы должны поддерживать этот темп и в будущем.
А конкуренция?
Действительно, может внезапно появиться какое-либо предприятие с идеей лучшей, чем наша. Эта возможность как раз и побуждает нас не почивать на лаврах, а постоянно придумывать новое. Исходя из этого мы располагаем значительным запасом патентов. На сегодня получен 21 патент, и около пятидесяти других – в ожидании. В ближайшие годы мы должны продолжать в этом же темпе - 20 регистраций патентов в год. Мы захватили преимущество на целый корпус, необходимо его сохранять.
Nasdaq, цель start-up
Кто ваши клиенты?
Мы объявили о двух первых контрактах с АМD, номер два в мире производителем микропроцессоров для компьютеров (после Intel), на сумму, которую мы не можем раскрывать. Сверх того, мы запустили процедуры тестирования в Freescale, бывшем подразделении микропроцессоров компании Motorola, и в тайваньской компании TSML (Taiwan Semiconductor Manufacturing Center), номер один в мире субпоставщик в полупроводниках. Вообще говоря, мы прицеливаемся ко всем предприятиям-изготовителям высокопроизводительных чипов в трех различных нишах: микропроцессоры, предназначенные для быстродействующих приложений; чипы для оборудования с низким потреблением энергии; и наконец, сверхмощных процессоров для оборудования, критичного к уровню веса. Таким образом, мы обращаемся к гигантскому рынку: от компьютеров до мобильных телефонов, включая также приставки для видеоигр, цифровые фотоаппараты, MP3-плееры…
Как вы генерируете доходы?
В первое время наши доходы происходят от продажи лицензий. Затем с каждого чипа, произведенного по нашей технологии, мы получаем роялти. В связи с размерами нашего партнерства доход от роялти может расти очень быстро со временем и представлять значительную часть торгового оборота. Таким образом, договориться с партнером масштаба AMD – это громадное преимущество. На этом основании, даже если я не могу раскрывать ни стоимость сделок, ни объекты продаж, мы намерены зарегистрировать наше первое положительное сальдо через за два года.
Какова ваша стратегия выхода: продажа какому-либо гиганту сектора или выход на биржу?
Не думаю, что можно создавать такое предприятие, как наше, не мечтая об IPO (первичное размещение акций на фондовом рынке). Конечно, продажа не исключается. Но полагаю, что через несколько лет, и насколько можно в соответствии с нашим планом или около того, мы могли бы выйти на биржу, более точно на Nasdaq. К тому времени наша компания должна насчитывать несколько сотен сотрудников и иметь оборот несколько миллиардов долларов. Для сравнения, американская компания Rambus, действующая также в сфере архитектуры микропроцессоров, дает работу нескольким сотням человек при объеме торгового оборота 150 млн. долл. США и биржевой капитализации более 2 млрд. долл. США. А британская ARM «весит» в два раза больше своего американского конкурента. Если нам удастся осуществить эту операцию, мы станем первой компанией start-up из EPFL, акции которой котируются на американской бирже технологических компаний.
Александр Соннэ (Alexandre Sonnay)
© L'Agefi, vendredi 1 juin 2007
© uni-CH.RU, перевод с французского, 2007
Ссылки по теме:
-
Innovative Silicon
The company was founded by Pierre Fazan and Serguei Okhonin. ... Co-founder Serguei Okhonin received his M. Sc. in Physics from Novosibirsk State University ...
http://www.innovativesilicon.com/
-
Федеральная политехническая школы Лозанны (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne - EPFL) - одна из ведущих европейских организаций в области науки и технологий. В состав EPFL входят исследовательские центры и лаборатории, расположенные на площади 500 000 кв.м., 4900 студентов, проходящих подготовку по программе бакалавров и магистров, 1400 соискателей кандидатской степени PhD, а также 2200 штатных сотрудников и преподавателей. В университетском кампусе EPFL живут представители около 100 национальностей, а около 50% ее преподавательского состава имеют иностранное происхождение (преимущественно из стран Европы и Америки). Журнал “The Times” прославил EPFL как самый интернациональный университет в мире.
По-русски - http://www.uni-ch.ru/epfl/index_epfl.htm, по-французски и по-английски - http://www.epfl.ch
-
Laboratoire d'electronique generale de l'EPFL
Historically, the LEG (Laboratoire d'Electronique Generale) know-how has been built around CMOS analog and mixed-signal IC design. Expertise has specifically been developed in some niches that include Switched Capacitors (SC) techniques, low-power & low-voltage design, RF circuits for telecom applications, interface circuits for integrated Microsystems, as well as high-voltage and high-temperature analog circuit techniques. In order to increase the innovation potential in circuit design, the know-how has progressively been extended to MOS device physics and modeling, as well as to advanced semiconductor (nano)technology and nanoscale device concepts. When applicable, results obtained in modeling and circuit design techniques are translated into specific CAD tools as a subset of the main CAD environment of the lab.
http://legwww.epfl.ch/index.htm
-
IEEE Spectrum
Online counterpart to IEEE Spectrum magazine, the flagship publication of the IEEE. Provides general exploration of the development, applications and ...
http://www.spectrum.ieee.org/
-
-
-
Static random access memory (SRAM) is a type of semiconductor memory. The word "static" indicates that the memory retains its contents as long as power remains applied, unlike dynamic RAM (DRAM) that needs to be periodically refreshed (nevertheless, SRAM should not be confused with read-only memory and flash memory, since it is volatile memory and preserves data only while power is continuously applied). SRAM should not be confused with SDRAM, which stands for synchronous DRAM and is entirely different from SRAM, or with pseudostatic RAM (PSRAM), which is DRAM disguised as SRAM.
http://en.wikipedia.org/wiki/Static_random_access_memory
-
Dynamic random access memory (DRAM) is a type of random access memory that stores each bit of data in a separate capacitor within an integrated circuit. Since real capacitors leak charge, the information eventually fades unless the capacitor charge is refreshed periodically. Because of this refresh requirement, it is a dynamic memory as opposed to SRAM and other static memory. Its advantage over SRAM is its structural simplicity: only one transistor and a capacitor are required per bit, compared to six transistors in SRAM. This allows DRAM to reach very high density. Since DRAM loses its data when the power supply is removed, it is in the class of volatile memory devices.
http://en.wikipedia.org/wiki/Dynamic_random_access_memory
-
Тайвань становится лидером DRAM-рынка - Ferra.ru Согласно докладу американо-тайваньского бизнес-совета (US-Taiwan Business Council), Тайвань может стать мировым лидером в производстве памяти DRAM в 2007 ...
http://news.ferra.ru/hard/2007/01/31/65136/
-
Z-RAM, short for " zero capacitor RAM" is a new type of computer memory in development by Innovative Silicon Inc. Z-RAM offers performance similar to the standard six-transistor SRAM cell used in cache memory but uses only a single transistor, and therefore offers much higher densities. It is also denser than conventional one-transistor, one-capacitor DRAM used for the majority of a modern computer's main memory, although it is unlikely to appear in this role in the short term due to the requirement to be built on only the newest generation fabs.
http://en.wikipedia.org/wiki/Z-RAM
-
Hynix получила лицензию на Z-RAM у ISi
Компании Innovative Silicon (Isi), владеющая правами на технологию памяти высокой плотности Z-RAM, и Hynix Semiconductor подписали соглашение, в соответствии с которым Hynix получает возможность использовать технологию Z-RAM при разработке собственной памяти DRAM.
Память DRAM, основанная на применении технологии Z-RAM позволяет использовать лишь один транзистор для организации ячейки памяти вместо стандартной конструкции: комбинации из нескольких транзисторов и емкостных элементов. Такое нововведение при производстве DRAM-памяти является первым фундаментальным улучшением этого типа памяти с момента его изобретения в 70-х годах прошлого века.
Технология Z-RAM изначально разрабатывалась в качестве встроенной памяти для микропроцессоров, чипсетов для мобильных устройств и других микросхем. Ранее, лицензию на технологию Z-RAM получила компания AMD. Это произошло в декабре 2005 года с целью использовать ее в будущих процессорных архитектурах.
Представители компании ISi утверждают, что такая технология позволяет объединить скоростные преимущества SRAM-памяти и эффективное использование площади кристалла, характерное для DRAM-памяти. Таким образом, память, производимая с учетом технологии Z-RAM будет намного компактнее и дешевле в производстве.
16.08.2007
http://www.3dnews.ru/news/hynix_poluchila_litsenziu_na_z_ram_u_isi-267331/
|
